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STP40N65M2-HXY
STP40N65M2-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有30A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻为94mΩ，栅源电压工作范围为-10V至+25V。器件利用碳化硅材料的高热导率与宽禁带特性，在高频开关条件下仍能维持较低的导通与开关损耗。适用于对效率和热管理要求较高的电源系统，如数据中心供电、可再生能源转换装置及高密度开关电源等场合。
- 商品型号
- STP40N65M2-HXY
- 商品编号
- C53133963
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
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