温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FCP110N65F-HXY
FCP110N65F-HXY
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为30A，漏源击穿电压达650V，导通电阻为94mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件基于碳化硅工艺，具备低导通损耗与优异的高频开关特性，适用于高效率电源转换系统。其稳定的电气性能和良好的热稳定性，可满足对紧凑布局与高效能要求较高的电力电子应用需求。
- 商品型号
- FCP110N65F-HXY
- 商品编号
- C53133945
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
相似推荐
其他推荐
- FCP125N65S3R0-HXY
- IPP60R099CPXKSA1-HXY
- IPP60R125CPXKSA1-HXY
- IPP65R099C6XKSA1-HXY
- IPP65R110CFDAAKSA1-HXY
- IPP65R110CFDXKSA2-HXY
- IPP65R115CFD7AAKSA1-HXY
- IPP65R125C7XKSA1-HXY
- IXFP26N65X2-HXY
- NTP110N65S3HF-HXY
- NTP125N65S3H-HXY
- R6535KNX3C16-HXY
- SIHP125N65E-GE3-HXY
- SIHP28N65EF-GE3-HXY
- SIHP28N65E-GE3-HXY
- STP34N65M5-HXY
- STP35N65DM2-HXY
- STP40N65M2-HXY
- IMW65R072M1HXKSA1-HXY
- IPW65R080CFDAFKSA1-HXY
- IPW65R080CFDFKSA2-HXY