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IPP60R125CPXKSA1-HXY
IPP60R125CPXKSA1-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备30A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻为94mΩ，栅源电压工作范围为-10V至+25V。器件利用碳化硅材料的高击穿场强与低导通损耗特性，适用于高频、高效率的电源转换场景，如服务器供电、通信电源、光伏逆变器及高密度电力电子模块，在提升系统效率的同时支持紧凑型设计。
- 商品型号
- IPP60R125CPXKSA1-HXY
- 商品编号
- C53133948
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
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