温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IPP65R125C7XKSA1-HXY
IPP65R125C7XKSA1-HXY
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有30A的漏极电流能力，漏源击穿电压达650V，导通电阻为94mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件利用碳化硅材料的高击穿电场与热导率优势，在高频开关应用中表现出较低的导通损耗和良好的热稳定性。适用于高效率电源转换、可再生能源系统及各类紧凑型电力电子装置，能够在提升系统效率的同时减少对散热结构的依赖。
- 商品型号
- IPP65R125C7XKSA1-HXY
- 商品编号
- C53133953
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
相似推荐
其他推荐
- IXFP26N65X2-HXY
- NTP110N65S3HF-HXY
- NTP125N65S3H-HXY
- R6535KNX3C16-HXY
- SIHP125N65E-GE3-HXY
- SIHP28N65EF-GE3-HXY
- SIHP28N65E-GE3-HXY
- STP34N65M5-HXY
- STP35N65DM2-HXY
- STP40N65M2-HXY
- IMW65R072M1HXKSA1-HXY
- IPW65R080CFDAFKSA1-HXY
- IPW65R080CFDFKSA2-HXY
- IPW65R090CFD7XKSA1-HXY
- IPW65R095C7XKSA1-HXY
- IPW65R099CFD7AXKSA1-HXY
- NTHL082N65S3HF-HXY
- R6547ENZ4C13-HXY
- STWA32N65DM6AG-HXY
- STWA38N65DM6AG-HXY
- STWA50N65DM2AG-HXY