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IPP65R125C7XKSA1-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具有宽带隙技术、低导通电阻、低电容、低反向恢复等特性
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有30A的漏极电流能力，漏源击穿电压达650V，导通电阻为94mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件利用碳化硅材料的高击穿电场与热导率优势，在高频开关应用中表现出较低的导通损耗和良好的热稳定性。适用于高效率电源转换、可再生能源系统及各类紧凑型电力电子装置，能够在提升系统效率的同时减少对散热结构的依赖。
- 商品型号
- IPP65R125C7XKSA1-HXY
- 商品编号
- C53133953
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35.8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 767pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 55pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ |
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