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R6535KNX3C16-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容、低反向恢复特性，无卤且符合RoHS标准
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有30A的漏极电流能力，漏源电压额定值为650V，导通电阻为94mΩ，栅源电压工作范围为-10V至+25V。器件利用碳化硅材料的高击穿电场与高热导率特性，在高频开关条件下可显著降低导通与开关损耗。适用于高效率电源、可再生能源逆变系统及对功率密度和热管理要求较高的电力电子应用，其宽栅压范围也便于适配多种驱动电路设计。
- 商品型号
- R6535KNX3C16-HXY
- 商品编号
- C53133957
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35.8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 767pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 55pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ |
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