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SIHP125N65E-GE3-HXY
SIHP125N65E-GE3-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有30A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻典型值为94mΩ，在栅源电压范围-10V至+25V内稳定工作。器件利用碳化硅材料特性，在高频、高温环境下展现出优异的开关性能与低导通损耗，适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换系统，如服务器电源、可再生能源逆变器及高频开关电源等场景。
- 商品型号
- SIHP125N65E-GE3-HXY
- 商品编号
- C53133958
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
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