NTP110N65S3HF-HXY

碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容、低反向恢复特性，可降低开关损耗、提高开关频率和功率密度

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有30A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻典型值为94mΩ，在栅源电压范围-10V至+25V内稳定工作。得益于碳化硅材料的特性，器件在高频开关应用中表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性，适用于对效率和功率密度有较高要求的电源转换场景。其电气参数组合使其能够在高电压、大电流条件下维持可靠运行，同时支持较宽的驱动电压窗口，便于与多种控制电路兼容。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

NTP110N65S3HF-HXY

商品编号

C53133955

商品封装

TO-220C​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)