温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTP125N65S3H-HXY
NTP125N65S3H-HXY
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为30A，漏源击穿电压达650V，导通电阻为94mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件基于碳化硅材料，具备优异的高频开关特性与热稳定性，在高效率电源转换、可再生能源系统及高密度电力电子设备中可实现低损耗运行。其宽栅压容限有助于提升驱动兼容性，适用于对开关速度和能效有严苛要求的应用场合。
- 商品型号
- NTP125N65S3H-HXY
- 商品编号
- C53133956
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
相似推荐
其他推荐
- R6535KNX3C16-HXY
- SIHP125N65E-GE3-HXY
- SIHP28N65EF-GE3-HXY
- SIHP28N65E-GE3-HXY
- STP34N65M5-HXY
- STP35N65DM2-HXY
- STP40N65M2-HXY
- IMW65R072M1HXKSA1-HXY
- IPW65R080CFDAFKSA1-HXY
- IPW65R080CFDFKSA2-HXY
- IPW65R090CFD7XKSA1-HXY
- IPW65R095C7XKSA1-HXY
- IPW65R099CFD7AXKSA1-HXY
- NTHL082N65S3HF-HXY
- R6547ENZ4C13-HXY
- STWA32N65DM6AG-HXY
- STWA38N65DM6AG-HXY
- STWA50N65DM2AG-HXY
- NVH4L110N65S3F-HXY
- SICW100N065H4-BP-HXY
- IPZ65R095C7XKSA1-HXY