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IPP65R110CFDAAKSA1-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具有低导通电阻、低电容、低反向恢复特性
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有30A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻典型值为94mΩ，栅源电压工作范围为-10V至+25V。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高频开关操作中表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性。其参数组合适合用于高效率电源转换、可再生能源系统及各类对体积和能效有较高要求的电力电子装置中，能够在严苛电气环境下保持可靠运行。
- 商品型号
- IPP65R110CFDAAKSA1-HXY
- 商品编号
- C53133950
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35.8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 767pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 55pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ |
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