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IPP65R110CFDAAKSA1-HXY
IPP65R110CFDAAKSA1-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有30A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻典型值为94mΩ，栅源电压工作范围为-10V至+25V。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高频开关操作中表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性。其参数组合适合用于高效率电源转换、可再生能源系统及各类对体积和能效有较高要求的电力电子装置中，能够在严苛电气环境下保持可靠运行。
- 商品型号
- IPP65R110CFDAAKSA1-HXY
- 商品编号
- C53133950
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
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