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IPP65R115CFD7AAKSA1-HXY
IPP65R115CFD7AAKSA1-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备30A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为650V，导通电阻典型值为94mΩ，在栅源驱动电压范围-10V至+25V内稳定工作。得益于碳化硅材料特性，器件在高频开关条件下仍能保持较低的导通与开关损耗，适用于对效率和功率密度要求较高的电力转换场景。其高耐压与低导通电阻的结合，有助于简化散热设计并提升系统整体性能。
- 商品型号
- IPP65R115CFD7AAKSA1-HXY
- 商品编号
- C53133952
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
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