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FCP125N65S3R0-HXY
FCP125N65S3R0-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有30A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻为94mΩ，在栅源电压范围-10V至+25V内稳定工作。器件利用碳化硅材料特性，具备优异的高频开关性能与高温稳定性，适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换系统，如服务器电源、通信电源及可再生能源逆变器等场景，能够有效降低导通与开关损耗，提升整体能效表现。
- 商品型号
- FCP125N65S3R0-HXY
- 商品编号
- C53133946
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
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