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IPP60R099CPXKSA1-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为30A，漏源电压耐受能力达650V，导通电阻为94mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。基于碳化硅材料的特性，器件在高频开关条件下表现出较低的损耗和良好的热稳定性，适用于高效率电源转换、光伏逆变系统、不间断电源以及通信设备中的功率管理模块，能够在紧凑布局中实现可靠的性能表现。
- 商品型号
- IPP60R099CPXKSA1-HXY
- 商品编号
- C53133947
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
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