SIHK100N65E-T1-GE3-HXY

SIHK100N65E-T1-GE3-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有36A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻为94mΩ，栅源电压工作范围为-10V至+25V。基于碳化硅材料的特性，器件在高频开关条件下表现出较低的导通与开关损耗，适用于高效率电源系统、可再生能源转换装置以及对热性能要求较高的电力电子设备。其宽栅压范围有助于提升驱动兼容性，并在高温环境中维持稳定的电气特性。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SIHK100N65E-T1-GE3-HXY

商品编号

C53133942

商品封装

TOLLS​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)