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IPT65R105G7XTMA1-HXY
IPT65R105G7XTMA1-HXY
- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有36A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻典型值为94mΩ，在栅源电压范围-10V至+25V内稳定工作。器件采用碳化硅材料，具备优异的高温特性和开关性能，适用于对效率和功率密度要求较高的电力转换场景。其低导通损耗与高耐压能力使其在高频开关应用中表现突出，可有效提升系统整体能效与可靠性。
- 商品型号
- IPT65R105G7XTMA1-HXY
- 商品编号
- C53133943
- 商品封装
- TOLLS
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
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