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NTMT090N65S3HF-HXY

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描述: 该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流为37A，漏源击穿电压达650V，导通电阻为75mΩ，栅源电压工作范围为-8V至+20V。器件基于碳化硅材料，具备低导通损耗与优异的开关性能，在高频运行条件下仍能保持高效稳定。适用于对功率转换效率和热管理有较高要求的电源系统，如高密度开关电源、可再生能源转换装置及高性能计算设备中的供电模块。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: NTMT090N65S3HF-HXY
商品编号: C53133911
商品封装: DFN-5B(8x8)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.54克(g)

商品参数

参数完善中