温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IPL65R095CFD7AUMA1-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容、低反向恢复特性
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有37A的连续漏极电流、650V的漏源击穿电压和75mΩ的导通电阻，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。得益于碳化硅材料的特性，器件在高频开关应用中表现出较低的开关损耗与导通损耗，同时具备良好的热稳定性。适用于高效率电源转换、服务器电源、通信设备供电系统以及对体积和能效有严格要求的电力电子场合。
- 商品型号
- IPL65R095CFD7AUMA1-HXY
- 商品编号
- C53133912
- 商品封装
- DFN-5B(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.54克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 37A | |
| 耗散功率(Pd) | 142W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC | |
| 输入电容(Ciss) | 721pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 60pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 105mΩ |
相似推荐
其他推荐
- NTMT095N65S3H-HXY
- IPW65R110CFDAFKSA1-HXY
- STW45NM60-HXY
- IPW65R110CFD7XKSA1-HXY
- FF06100J-7-HXY
- UF3C065080B7S-HXY
- NVBG110N65S3F-HXY
- IMBG65R083M1HXTMA1-HXY
- STH30N65DM6-7AG-HXY
- IPBE65R115CFD7AATMA1-HXY
- SIHK100N65E-T1-GE3-HXY
- IPT65R105G7XTMA1-HXY
- SIHK125N65E-T1-GE3-HXY
- FCP110N65F-HXY
- FCP125N65S3R0-HXY
- IPP60R099CPXKSA1-HXY
- IPP60R125CPXKSA1-HXY
- IPP65R099C6XKSA1-HXY
- IPP65R110CFDAAKSA1-HXY
- IPP65R110CFDXKSA2-HXY
- IPP65R115CFD7AAKSA1-HXY