FF06100J-7-HXY

FF06100J-7-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有31A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻为94mΩ，栅源电压工作范围为-10V至+25V。器件利用碳化硅材料特性，实现低导通损耗与高速开关能力，适用于高效率电源、可再生能源转换系统及紧凑型电力电子设备。其宽栅压范围增强了驱动电路的适应性，并在高温条件下维持可靠的电气性能。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

FF06100J-7-HXY

商品编号

C53133936

商品封装

TO-263-7L​

包装方式

编带

商品毛重

1.735克(g)