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IMBG65R083M1HXTMA1-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET的漏极电流ID为31A，漏源击穿电压VDSS为650V，导通电阻RDS(ON)为94mΩ，栅源电压VGS范围为-10V至+25V。器件基于碳化硅工艺，在高电压和高频工作条件下展现出较低的导通与开关损耗。适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高频电力电子设备，能够在严苛电气环境中保持稳定性能，并支持多种驱动方案。
- 商品型号
- IMBG65R083M1HXTMA1-HXY
- 商品编号
- C53133939
- 商品封装
- TO-263-7L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.81克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 31A | |
| 耗散功率(Pd) | 130W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35.8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 767pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 55pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
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