IMBG65R083M1HXTMA1-HXY

IMBG65R083M1HXTMA1-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET的漏极电流ID为31A，漏源击穿电压VDSS为650V，导通电阻RDS(ON)为94mΩ，栅源电压VGS范围为-10V至+25V。器件基于碳化硅工艺，在高电压和高频工作条件下展现出较低的导通与开关损耗。适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高频电力电子设备，能够在严苛电气环境中保持稳定性能，并支持多种驱动方案。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IMBG65R083M1HXTMA1-HXY

商品编号

C53133939

商品封装

TO-263-7L​

包装方式

编带

商品毛重

1.81克(g)