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STH30N65DM6-7AG-HXY
STH30N65DM6-7AG-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有31A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻为94mΩ，在栅源电压范围-10V至+25V内稳定工作。器件采用碳化硅材料，具备优异的高频特性和高温稳定性，适用于高效率、高频率的电源转换场景。其低导通损耗与快速开关能力有助于提升系统整体能效，适合用于对体积与热管理有较高要求的电力电子装置中。
- 商品型号
- STH30N65DM6-7AG-HXY
- 商品编号
- C53133940
- 商品封装
- TO-263-7L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.8克(g)
商品参数
参数完善中
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