IPBE65R115CFD7AATMA1-HXY

IPBE65R115CFD7AATMA1-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为31A，漏源击穿电压达650V，导通电阻为94mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件基于碳化硅材料，具备低导通损耗与快速开关特性，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高频电力电子设备。其宽电压驱动能力增强了栅极控制的灵活性，同时在高温环境下仍能保持稳定电气性能，适合对能效和热管理要求较高的应用场景。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IPBE65R115CFD7AATMA1-HXY

商品编号

C53133941

商品封装

TO-263-7L​

包装方式

编带

商品毛重

1.81克(g)