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IPBE65R115CFD7AATMA1-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具备低导通电阻、低电容、低反向恢复特性，无卤且符合RoHS标准
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为31A，漏源击穿电压达650V，导通电阻为94mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件基于碳化硅材料，具备低导通损耗与快速开关特性，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高频电力电子设备。其宽电压驱动能力增强了栅极控制的灵活性，同时在高温环境下仍能保持稳定电气性能，适合对能效和热管理要求较高的应用场景。
- 商品型号
- IPBE65R115CFD7AATMA1-HXY
- 商品编号
- C53133941
- 商品封装
- TO-263-7L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.81克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 31A | |
| 耗散功率(Pd) | 130W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35.8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 767pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 55pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ |
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