• IPBE65R115CFD7AATMA1-HXY商品缩略图
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型号:IPBE65R115CFD7AATMA1-HXY品牌:HXY MOSFET(华轩阳电子)名称:碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式,具备低导通电阻、低电容、低反向恢复特性,无卤且符合RoHS标准
IPBE65R115CFD7AATMA1-HXY实物图
本页面提供HXY MOSFET(华轩阳电子)的IPBE65R115CFD7AATMA1-HXY产品的实物图、引脚图、原理图和PCB焊盘图。IPBE65R115CFD7AATMA1-HXY参考售价为14.32元起,现货库存数量10个
温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准