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UF3C065080B7S-HXY
UF3C065080B7S-HXY
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- 描述
- 该碳化硅场效应管为N沟道结构，最大漏极电流ID为31A，漏源击穿电压VDSS达650V，导通电阻RDS(ON)为94mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件基于碳化硅材料，具备优异的高频特性和高温工作能力，适用于高效率、高频率的电源转换场景。其低导通电阻有助于降低导通损耗，提升系统整体能效，同时宽栅压范围增强了驱动兼容性与可靠性。
- 商品型号
- UF3C065080B7S-HXY
- 商品编号
- C53133937
- 商品封装
- TO-263-7L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.97克(g)
商品参数
参数完善中
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