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NVBG110N65S3F-HXY
NVBG110N65S3F-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有31A的漏极电流能力，漏源电压额定值为650V，导通电阻为94mΩ，栅源电压工作范围为-10V至+25V。器件利用碳化硅材料特性，在高频开关条件下表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性。适用于对效率和功率密度要求较高的电源系统，可在高电压、大电流环境下实现稳定运行，同时其宽栅压范围有助于适配多种驱动电路设计。
- 商品型号
- NVBG110N65S3F-HXY
- 商品编号
- C53133938
- 商品封装
- TO-263-7L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.8克(g)
商品参数
参数完善中
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