NVBG110N65S3F-HXY

碳化硅功率MOSFET N沟道增强型，采用宽带隙碳化硅MOSFET技术，具有低导通电阻、低电容、低反向恢复等特性

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有31A的漏极电流能力，漏源电压额定值为650V，导通电阻为94mΩ，栅源电压工作范围为-10V至+25V。器件利用碳化硅材料特性，在高频开关条件下表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性。适用于对效率和功率密度要求较高的电源系统，可在高电压、大电流环境下实现稳定运行，同时其宽栅压范围有助于适配多种驱动电路设计。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

NVBG110N65S3F-HXY

商品编号

C53133938

商品封装

TO-263-7L​

包装方式

编带

商品毛重

1.8克(g)