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NVBG110N65S3F-HXY
NVBG110N65S3F-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有31A的漏极电流能力，漏源电压额定值为650V，导通电阻为94mΩ，栅源电压工作范围为-10V至+25V。器件利用碳化硅材料特性，在高频开关条件下表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性。适用于对效率和功率密度要求较高的电源系统，可在高电压、大电流环境下实现稳定运行，同时其宽栅压范围有助于适配多种驱动电路设计。
- 商品型号
- NVBG110N65S3F-HXY
- 商品编号
- C53133938
- 商品封装
- TO-263-7L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 31A | |
| 耗散功率(Pd) | 130W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35.8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 767pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 55pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
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