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NTMT095N65S3H-HXY

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描述: 该N沟道碳化硅MOSFET具有37A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻典型值为75mΩ，在栅源电压范围-8V至+20V内稳定工作。得益于碳化硅材料的特性，器件在高频开关应用中表现出较低的导通与开关损耗，适用于对效率和热管理要求较高的电源转换场景。其低RDS(on)有助于减小导通功耗，提升系统整体能效，同时支持紧凑型电路布局。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: NTMT095N65S3H-HXY
商品编号: C53133913
商品封装: DFN-5B(8x8)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.54克(g)

商品参数

参数完善中