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NTMT095N65S3H-HXY
NTMT095N65S3H-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有37A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻典型值为75mΩ，在栅源电压范围-8V至+20V内稳定工作。得益于碳化硅材料的特性，器件在高频开关应用中表现出较低的导通与开关损耗，适用于对效率和热管理要求较高的电源转换场景。其低RDS(on)有助于减小导通功耗，提升系统整体能效，同时支持紧凑型电路布局。
- 商品型号
- NTMT095N65S3H-HXY
- 商品编号
- C53133913
- 商品封装
- DFN-5B(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.54克(g)
商品参数
参数完善中
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