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FCMT080N65S3-HXY
FCMT080N65S3-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有37A的连续漏极电流、650V的漏源击穿电压，导通电阻为75mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。基于碳化硅材料特性，器件在高频工作时表现出优异的开关速度与低损耗性能，适用于高效率电源转换系统。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提升整体能效，并支持紧凑型电路布局与良好的热管理。
- 商品型号
- FCMT080N65S3-HXY
- 商品编号
- C53133909
- 商品封装
- DFN-5B(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.53克(g)
商品参数
参数完善中
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