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FCMT080N65S3-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，采用宽带隙SiC MOSFET技术，具有低导通电阻、低电容、低反向恢复等特点
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有37A的连续漏极电流、650V的漏源击穿电压，导通电阻为75mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。基于碳化硅材料特性，器件在高频工作时表现出优异的开关速度与低损耗性能，适用于高效率电源转换系统。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提升整体能效，并支持紧凑型电路布局与良好的热管理。
- 商品型号
- FCMT080N65S3-HXY
- 商品编号
- C53133909
- 商品封装
- DFN-5B(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.53克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 37A | |
| 耗散功率(Pd) | 142W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC | |
| 输入电容(Ciss) | 721pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 60pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 105mΩ |
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