SIHD6N65ET4-GE3-HXY

SIHD6N65ET4-GE3-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源击穿电压（VDSS）和10.2A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）为550mΩ，在栅源电压范围-8V至+20V（VGS）内稳定工作。器件利用碳化硅材料特性，适用于高效率、高频率的电源转换场景，其低导通损耗与高耐压能力有助于提升系统整体性能，适合对能效和热管理有较高要求的应用环境。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SIHD6N65ET4-GE3-HXY

商品编号

C53133900

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.44克(g)