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SIHD6N65ET4-GE3-HXY

碳化硅功率MOSFET N沟道增强型，采用宽带隙SiC MOSFET技术，内置Sic SBD，低导通电阻、低电容、低反向恢复

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描述: 该N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源击穿电压（VDSS）和10.2A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）为550mΩ，在栅源电压范围-8V至+20V（VGS）内稳定工作。器件利用碳化硅材料特性，适用于高效率、高频率的电源转换场景，其低导通损耗与高耐压能力有助于提升系统整体性能，适合对能效和热管理有较高要求的应用环境。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: SIHD6N65ET4-GE3-HXY
商品编号: C53133900
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.44克(g)

商品参数

该产品采用宽禁带碳化硅MOSFET技术，内置碳化硅肖特基势垒二极管。其优势在于能够降低开关损耗，提升系统开关频率，增加功率密度，并减少散热器需求。