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SIHD6N65ET5-GE3-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强型，采用宽带隙SiC MOSFET技术，内置Sic SBD，具有低导通电阻、低电容、低反向恢复等特点
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备800V的漏源击穿电压（VDSS）和10.2A的连续漏极电流能力，导通电阻（RDS(on)）为550mΩ，在栅源驱动电压范围-8V至+20V（VGS）内可靠运行。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高电压、高频率工作条件下表现出较低的开关与导通损耗，适用于对效率、体积及热性能有严苛要求的电源转换系统。
- 商品型号
- SIHD6N65ET5-GE3-HXY
- 商品编号
- C53133901
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.435克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 44.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 89pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 19pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
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