SIHD6N65ET5-GE3-HXY

碳化硅功率MOSFET N沟道增强型，采用宽带隙SiC MOSFET技术，内置Sic SBD，具有低导通电阻、低电容、低反向恢复等特点

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具备800V的漏源击穿电压（VDSS）和10.2A的连续漏极电流能力，导通电阻（RDS(on)）为550mΩ，在栅源驱动电压范围-8V至+20V（VGS）内可靠运行。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高电压、高频率工作条件下表现出较低的开关与导通损耗，适用于对效率、体积及热性能有严苛要求的电源转换系统。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SIHD6N65ET5-GE3-HXY

商品编号

C53133901

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.435克(g)