STD11N65M2-HXY

STD11N65M2-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为800V，连续漏极电流（ID）达10.2A，导通电阻（RDS(on)）为550mΩ。栅源电压（VGS）工作范围为-8V至+20V，支持宽范围驱动条件并具备良好的栅极可靠性。基于碳化硅材料特性，器件在高频开关过程中表现出较低的开关损耗和优异的热稳定性，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及对体积与能效有较高要求的电力电子设备中。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

STD11N65M2-HXY

商品编号

C53133903

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.445克(g)