STD8N65M5-HXY

STD8N65M5-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源击穿电压（VDSS）和10.2A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）为550mΩ。其栅源电压（VGS）范围为-8V至+20V，适用于多种驱动电路配置，并具备良好的抗误触发能力。得益于碳化硅材料的物理特性，该器件在高频开关应用中展现出较低的导通与开关损耗，适合用于高效率、高功率密度的电源系统，如服务器电源、光伏逆变器及储能转换设备等场景。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

STD8N65M5-HXY

商品编号

C53133904

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.445克(g)