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SPD07N60C3BTMA1-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，采用宽带隙SiC MOSFET技术，内置Sic SBD，低导通电阻、低电容、高速开关、低反向恢复、无卤且符合RoHS标准
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为800V，连续漏极电流（ID）达10.2A，导通电阻（RDS(on)）为550mΩ，栅源电压（VGS）工作范围为-8V至+20V。器件基于碳化硅材料，具有优异的高温稳定性和高频开关能力，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及对体积与散热有较高要求的电力电子应用。
- 商品型号
- SPD07N60C3BTMA1-HXY
- 商品编号
- C53133902
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.44克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 44.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 89pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 19pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
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