SPD07N60C3BTMA1-HXY

SPD07N60C3BTMA1-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为800V，连续漏极电流（ID）达10.2A，导通电阻（RDS(on)）为550mΩ，栅源电压（VGS）工作范围为-8V至+20V。器件基于碳化硅材料，具有优异的高温稳定性和高频开关能力，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及对体积与散热有较高要求的电力电子应用。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SPD07N60C3BTMA1-HXY

商品编号

C53133902

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.44克(g)