SIHD6N65E-GE3-HXY

碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，采用宽带隙SiC MOSFET技术，内置碳化硅肖特基势垒二极管，具有低导通电阻、低电容、高速开关、低反向恢复等特性

描述

该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为800V，连续漏极电流（ID）达10.2A，导通电阻（RDS(on)）为550mΩ，在高频或高温环境下仍能保持稳定性能。栅源驱动电压范围（VGS）为-8V至+20V，具备良好的驱动兼容性与抗误触发能力。得益于碳化硅材料的特性，器件在开关速度和热管理方面表现优异，适用于高效率、高功率密度的电源转换、可再生能源系统及各类电力电子设备中。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SIHD6N65E-GE3-HXY

商品编号

C53133898

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.44克(g)