SIHD6N65ET1-GE3-HXY

碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，采用宽带隙SiC MOSFET技术，内置Sic SBD，低导通电阻、低电容、低反向恢复

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具备800V的漏源击穿电压（VDSS）和10.2A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）为550mΩ，适用于高电压、中等电流的功率开关场景。其栅源电压范围（VGS）为-8V至+20V，支持宽幅驱动信号，有助于提升系统可靠性与抗干扰能力。碳化硅材料带来的低开关损耗与高热稳定性，使其适合用于高频电源、光伏逆变器、储能系统及对效率和体积有较高要求的电力电子装置中。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SIHD6N65ET1-GE3-HXY

商品编号

C53133899

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.88克(g)