R6509END3TL1-HXY

碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，采用宽带隙SiC MOSFET技术，内置Sic SBD，低导通电阻、低电容、低反向恢复

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源击穿电压（VDSS）和10.2A的连续漏极电流（ID），在高温或高频工作条件下表现出优异的稳定性。其导通电阻（RDS(on)）为550mΩ，有助于降低导通损耗，提升系统效率。栅源电压范围为-8V至+20V（VGS），支持较宽的驱动电压窗口，增强了与不同驱动电路的兼容性。器件采用碳化硅材料，具备高热导率和低开关损耗特性，适用于对能效和功率密度要求较高的电力电子应用场合。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

R6509END3TL1-HXY

商品编号

C53133897

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.44克(g)