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R6507KND3TL1-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，采用宽带隙SiC MOSFET技术，内置SiC SBD，低导通电阻、低电容、低反向恢复
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源击穿电压（VDSS）和10.2A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(ON)）为550mΩ。其栅源电压范围为-8V至+20V，支持宽范围驱动条件下的可靠运行。碳化硅材料赋予器件优异的高温稳定性和快速开关能力，在高频、高效率的电源拓扑中可有效降低能量损耗，适用于通信电源、数据中心供电系统及可再生能源转换设备等对性能与可靠性要求较高的场合。
- 商品型号
- R6507KND3TL1-HXY
- 商品编号
- C53133896
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.44克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 44.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 89pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 19pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 750mΩ |
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