R6507END3TL1-HXY_HXY MOSFET(华轩阳电子)-实物图-PCB引脚图-焊盘图-立创商城一站式电子元器件采购自营商城

型号：R6507END3TL1-HXY品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)名称：碳化硅功率MOSFET N沟道增强型，采用宽带隙SiC MOSFET技术，内置Sic SBD，具有低导通电阻、低电容、高速开关和低反向恢复特性

本页面提供HXY MOSFET(华轩阳电子)的R6507END3TL1-HXY产品的实物图、引脚图、原理图和PCB焊盘图。R6507END3TL1-HXY参考售价为4.66元起，现货库存数量19个

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