温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

MSJU07N65A-HXY

碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具备宽带隙技术、内置碳化硅肖特基二极管、低导通电阻、低电容、高速开关和低反向恢复特性

SMT扩展库PCB免费打样

私有库下单最高享92折

描述: 该N沟道碳化硅MOSFET具备800V的漏源击穿电压（VDSS）和10.2A的连续漏极电流（ID），在25℃条件下导通电阻（RDS(ON)）为550mΩ。其栅源电压范围为-8V至+20V，适用于高电压、高效率的功率转换场景。器件采用碳化硅材料，具有优异的热稳定性和开关性能，能够在高频工作条件下保持较低的导通与开关损耗，适合用于对能效和体积有较高要求的电源系统中。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: MSJU07N65A-HXY
商品编号: C53133894
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.44克(g)

商品参数

该产品采用宽禁带碳化硅MOSFET技术，并集成碳化硅肖特基势垒二极管。其具备低导通电阻与高阻断电压特性，同时拥有低电容以实现高速开关性能，反向恢复电荷低。产品符合无卤素与RoHs标准。这些特性有助于降低开关损耗，提升系统开关频率与功率密度，并减少散热器需求。