MSJU07N65A-HXY

碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具备宽带隙技术、内置碳化硅肖特基二极管、低导通电阻、低电容、高速开关和低反向恢复特性

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具备800V的漏源击穿电压（VDSS）和10.2A的连续漏极电流（ID），在25℃条件下导通电阻（RDS(ON)）为550mΩ。其栅源电压范围为-8V至+20V，适用于高电压、高效率的功率转换场景。器件采用碳化硅材料，具有优异的热稳定性和开关性能，能够在高频工作条件下保持较低的导通与开关损耗，适合用于对能效和体积有较高要求的电源系统中。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

MSJU07N65A-HXY

商品编号

C53133894

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.44克(g)