MCU655N65FH-HXY

MCU655N65FH-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为800V，连续漏极电流（ID）达10.2A，导通电阻（RDS(on)）为550mΩ，栅源电压（VGS）工作范围为-8V至+20V。器件利用碳化硅材料优势，在高频开关应用中表现出较低的导通与开关损耗，同时具备良好的热稳定性。适用于高效率电源、光伏逆变系统、服务器电源及对能效和紧凑设计有较高要求的电力电子场合。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

MCU655N65FH-HXY

商品编号

C53133893

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.435克(g)