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MCU655N65FH-HXY

碳化硅功率MOSFET N沟道增强型，采用宽带隙SiC MOSFET技术，内置Sic SBD，低导通电阻、低电容、低反向恢复

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描述: 该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为800V，连续漏极电流（ID）达10.2A，导通电阻（RDS(on)）为550mΩ，栅源电压（VGS）工作范围为-8V至+20V。器件利用碳化硅材料优势，在高频开关应用中表现出较低的导通与开关损耗，同时具备良好的热稳定性。适用于高效率电源、光伏逆变系统、服务器电源及对能效和紧凑设计有较高要求的电力电子场合。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: MCU655N65FH-HXY
商品编号: C53133893
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.435克(g)

商品参数

该产品采用宽禁带SiC MOSFET技术，并内置SiC肖特基势垒二极管。它具备低导通电阻与高阻断电压的特性，同时具有低电容以实现高速开关性能，以及低反向恢复电荷。产品符合无卤素与RoHs标准。这些优势有助于降低开关损耗，提升系统开关频率与功率密度，并减少散热器需求。