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IPD65R660CFDATMA1-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，采用宽带隙碳化硅MOSFET技术，内置碳化硅肖特基势垒二极管，具有低导通电阻、低电容、高速开关和低反向恢复等特性
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为800V，连续漏极电流（ID）达10.2A，导通电阻（RDS(on)）为550mΩ。栅源驱动电压范围为-8V至+20V，具备良好的抗干扰能力和驱动兼容性。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高频开关条件下仍能保持较低的损耗和稳定的性能，适用于高效率电源、可再生能源转换系统以及对热管理与空间布局要求较高的电力电子应用。
- 商品型号
- IPD65R660CFDATMA1-HXY
- 商品编号
- C53133891
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.44克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 44.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 89pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 19pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
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