IPD65R660CFDAATMA1-HXY

碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，采用宽带隙SiC MOSFET技术，内置Sic SBD，具有低导通电阻、低电容、低反向恢复特性，无卤且符合RoHS标准

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源击穿电压（VDSS）和10.2A的连续漏极电流能力，导通电阻（RDS(on)）为550mΩ。其栅源电压范围为-8V至+20V，支持较宽的驱动电平，有助于提升开关可靠性并抑制误触发。碳化硅材料特性使其在高频开关应用中表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及各类对体积与能效有较高要求的电力电子装置。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IPD65R660CFDAATMA1-HXY

商品编号

C53133890

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.435克(g)