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IPD65R660CFDAATMA1-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，采用宽带隙SiC MOSFET技术，内置Sic SBD，具有低导通电阻、低电容、低反向恢复特性，无卤且符合RoHS标准
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源击穿电压（VDSS）和10.2A的连续漏极电流能力，导通电阻（RDS(on)）为550mΩ。其栅源电压范围为-8V至+20V，支持较宽的驱动电平，有助于提升开关可靠性并抑制误触发。碳化硅材料特性使其在高频开关应用中表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及各类对体积与能效有较高要求的电力电子装置。
- 商品型号
- IPD65R660CFDAATMA1-HXY
- 商品编号
- C53133890
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.435克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 44.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 89pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 19pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
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