IPD65R600E6ATMA1-HXY

IPD65R600E6ATMA1-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源击穿电压（VDSS）和10.2A的连续漏极电流（ID），在高温或高频率工作条件下仍能保持优异的开关性能。其导通电阻（RDS(ON)）为550mΩ，有助于降低导通损耗，提升系统效率。栅源驱动电压范围为-8V至+20V（VGS），具备良好的栅极耐压能力，适用于对可靠性要求较高的电源转换场景。器件采用碳化硅材料，相较传统硅基MOSFET，在相同封装下可实现更小的芯片面积与更快的开关速度，适合用于高效率、高功率密度的电力电子应用中。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IPD65R600E6ATMA1-HXY

商品编号

C53133887

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.43克(g)