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IPD65R600E6ATMA1-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强型，采用宽带隙SiC MOSFET技术，内置Sic SBD，低导通电阻、低电容、低反向恢复
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源击穿电压（VDSS）和10.2A的连续漏极电流（ID），在高温或高频率工作条件下仍能保持优异的开关性能。其导通电阻（RDS(ON)）为550mΩ，有助于降低导通损耗，提升系统效率。栅源驱动电压范围为-8V至+20V（VGS），具备良好的栅极耐压能力，适用于对可靠性要求较高的电源转换场景。器件采用碳化硅材料，相较传统硅基MOSFET，在相同封装下可实现更小的芯片面积与更快的开关速度，适合用于高效率、高功率密度的电力电子应用中。
- 商品型号
- IPD65R600E6ATMA1-HXY
- 商品编号
- C53133887
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.43克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 44.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 89pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 19pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 750mΩ |
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