温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IPD65R650CEATMA1-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，采用宽带隙SiC MOSFET技术，内置Sic SBD，低导通电阻、低电容、低反向恢复
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源击穿电压（VDSS）和10.2A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(ON)）为550mΩ。其栅源电压（VGS）范围为-8V至+20V，支持负压关断以增强抗误导通能力。器件基于碳化硅材料，在高频开关条件下可显著降低开关损耗，并具备优异的高温工作特性，适用于高效率电源、光伏逆变器、储能系统及高功率密度电力电子装置中的主开关或同步整流功能。
- 商品型号
- IPD65R650CEATMA1-HXY
- 商品编号
- C53133889
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.44克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 44.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 89pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 19pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
相似推荐
其他推荐
- IPD65R660CFDAATMA1-HXY
- IPD65R660CFDATMA1-HXY
- IPD65R660CFDBTMA1-HXY
- MCU655N65FH-HXY
- MSJU07N65A-HXY
- R6507END3TL1-HXY
- R6507KND3TL1-HXY
- R6509END3TL1-HXY
- SIHD6N65E-GE3-HXY
- SIHD6N65ET1-GE3-HXY
- SIHD6N65ET4-GE3-HXY
- SIHD6N65ET5-GE3-HXY
- SPD07N60C3BTMA1-HXY
- STD11N65M2-HXY
- STD8N65M5-HXY
- IXTP12N65X2M-HXY
- STL42N65M5-HXY
- FCMT080N65S3-HXY
- STL45N65M5-HXY
- NTMT090N65S3HF-HXY
- IPL65R095CFD7AUMA1-HXY