IPD65R650CEATMA1-HXY

IPD65R650CEATMA1-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源击穿电压（VDSS）和10.2A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(ON)）为550mΩ。其栅源电压（VGS）范围为-8V至+20V，支持负压关断以增强抗误导通能力。器件基于碳化硅材料，在高频开关条件下可显著降低开关损耗，并具备优异的高温工作特性，适用于高效率电源、光伏逆变器、储能系统及高功率密度电力电子装置中的主开关或同步整流功能。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IPD65R650CEATMA1-HXY

商品编号

C53133889

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.44克(g)