IPD65R600E6BTMA1-HXY

碳化硅功率MOSFET N沟道增强型，采用宽带隙碳化硅MOSFET技术，内置碳化硅SBD，低导通电阻、低电容、低反向恢复

描述

该N沟道碳化硅MOSFET额定漏源电压（VDSS）为800V，连续漏极电流（ID）达10.2A，导通电阻（RDS(ON)）为550mΩ。其栅源电压（VGS）工作范围为-8V至+20V，支持较宽的驱动电平，有助于提升开关稳定性和抗干扰能力。得益于碳化硅材料特性，器件在高频开关应用中表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高功率密度电力电子设备中的关键开关环节。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IPD65R600E6BTMA1-HXY

商品编号

C53133888

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.44克(g)