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IPD65R600E6BTMA1-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强型，采用宽带隙碳化硅MOSFET技术，内置碳化硅SBD，低导通电阻、低电容、低反向恢复
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET额定漏源电压（VDSS）为800V，连续漏极电流（ID）达10.2A，导通电阻（RDS(ON)）为550mΩ。其栅源电压（VGS）工作范围为-8V至+20V，支持较宽的驱动电平，有助于提升开关稳定性和抗干扰能力。得益于碳化硅材料特性，器件在高频开关应用中表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高功率密度电力电子设备中的关键开关环节。
- 商品型号
- IPD65R600E6BTMA1-HXY
- 商品编号
- C53133888
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.44克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 44.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 89pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 19pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
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