IPD65R600C6ATMA1-HXY_HXY MOSFET(华轩阳电子)-实物图-PCB引脚图-焊盘图-立创商城一站式电子元器件采购自营商城

型号：IPD65R600C6ATMA1-HXY品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)名称：碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，采用宽带隙SiC MOSFET技术，内置SiC SBD，具备低导通电阻、高阻断电压、低电容和高速开关等特性

本页面提供HXY MOSFET(华轩阳电子)的IPD65R600C6ATMA1-HXY产品的实物图、引脚图、原理图和PCB焊盘图。IPD65R600C6ATMA1-HXY参考售价为4.35元起，现货库存数量20个

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