AOD7S65

碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，采用宽带隙碳化硅MOSFET技术，内置碳化硅肖特基势垒二极管，具有低导通电阻、低电容、高速开关和低反向恢复特性

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源击穿电压（VDSS）和10.2A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(ON)）为550mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件采用碳化硅材料，具备优异的高温稳定性和开关性能，适用于对效率和功率密度要求较高的电力转换场景。其宽栅压范围增强了驱动兼容性，同时低导通损耗有助于提升系统整体能效。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

AOD7S65

商品编号

C53133884

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.44克(g)