FL06500A-HXY

FL06500A-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为800V，连续漏极电流（ID）达10.2A，导通电阻（RDS(ON)）为550mΩ，栅源电压（VGS）工作范围为-8V至+20V。器件基于碳化硅工艺，具备高耐压能力和较低的导通损耗，在高频开关条件下仍能保持良好性能。适用于对效率、热管理和体积有较高要求的电源转换与功率控制场合。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

FL06500A-HXY

商品编号

C53133885

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.44克(g)