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STF12N65M2-HXY
STF12N65M2-HXY
- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET的额定漏极电流为7.1A，漏源电压耐受能力达650V，导通电阻为410mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件基于碳化硅工艺，具备低导通损耗与优异的高频开关特性，适用于高效率电源转换、光伏逆变、不间断电源及类似对能效和热性能有较高要求的电力电子系统。其宽栅压范围增强了驱动兼容性，有助于简化控制电路设计。
- 商品型号
- STF12N65M2-HXY
- 商品编号
- C53133883
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3克(g)
商品参数
参数完善中
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