STF10NM65N-HXY

碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，采用宽带隙SiC MOSFET技术，低导通电阻、低电容、低反向恢复

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具备650V的漏源击穿电压（VDSS）和7.1A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(ON)）为410mΩ。栅源电压范围为-8V至+20V，适用于多种驱动电路配置，同时提供良好的栅极可靠性。凭借碳化硅材料的固有优势，该器件在高频开关条件下具有较低的开关损耗和优异的热性能，适合用于高效率电源转换、可再生能源系统以及对体积和能效有严格要求的电力电子应用。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

STF10NM65N-HXY

商品编号

C53133882

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)