STF11NM65N-HXY

STF11NM65N-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和7.1A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(ON)）为410mΩ。栅源电压范围为-8V至+20V，确保器件在多种驱动条件下稳定工作。得益于碳化硅材料的特性，该器件在高频、高效率的电力转换场景中表现出优异的开关性能与热稳定性，适用于对能效和体积有较高要求的电源系统。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

STF11NM65N-HXY

商品编号

C53133881

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)