温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STD13N65M2-HXY
碳化硅功率N沟道增强型MOSFET，具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容、低反向恢复特性
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为650V，连续漏极电流（ID）达9.3A，导通电阻（RDS(on)）为410mΩ。栅源驱动电压范围为-8V至+20V，确保在多种驱动条件下稳定工作。得益于碳化硅材料特性，器件在高频开关应用中表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及紧凑型电力电子设备中的功率开关功能。
- 商品型号
- STD13N65M2-HXY
- 商品编号
- C53133879
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 43.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.7nC | |
| 输入电容(Ciss) | 147pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 19pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
相似推荐
其他推荐
- STD11NM65N-HXY
- STF11NM65N-HXY
- STF10NM65N-HXY
- STF12N65M2-HXY
- AOD7S65
- FL06500A-HXY
- IPD65R600C6ATMA1-HXY
- IPD65R600E6ATMA1-HXY
- IPD65R600E6BTMA1-HXY
- IPD65R650CEATMA1-HXY
- IPD65R660CFDAATMA1-HXY
- IPD65R660CFDATMA1-HXY
- IPD65R660CFDBTMA1-HXY
- MCU655N65FH-HXY
- MSJU07N65A-HXY
- R6507END3TL1-HXY
- R6507KND3TL1-HXY
- R6509END3TL1-HXY
- SIHD6N65E-GE3-HXY
- SIHD6N65ET1-GE3-HXY
- SIHD6N65ET4-GE3-HXY