STD13N65M2-HXY

STD13N65M2-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为650V，连续漏极电流（ID）达9.3A，导通电阻（RDS(on)）为410mΩ。栅源驱动电压范围为-8V至+20V，确保在多种驱动条件下稳定工作。得益于碳化硅材料特性，器件在高频开关应用中表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及紧凑型电力电子设备中的功率开关功能。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

STD13N65M2-HXY

商品编号

C53133879

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)