STD11NM65N-HXY

碳化硅功率MOSFET N沟道增强型，具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容和低反向恢复特性

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）、9.3A的连续漏极电流（ID）和410mΩ的导通电阻（RDS(on)），栅源电压范围为-8V至+20V。器件基于碳化硅工艺，具备高耐压能力与较低导通损耗，在高频开关条件下仍能保持良好性能，适用于对效率、热管理和空间布局有较高要求的电源转换及能量处理系统。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

STD11NM65N-HXY

商品编号

C53133880

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)