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STD11NM65N-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强型，具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容和低反向恢复特性
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）、9.3A的连续漏极电流（ID）和410mΩ的导通电阻（RDS(on)），栅源电压范围为-8V至+20V。器件基于碳化硅工艺，具备高耐压能力与较低导通损耗，在高频开关条件下仍能保持良好性能，适用于对效率、热管理和空间布局有较高要求的电源转换及能量处理系统。
- 商品型号
- STD11NM65N-HXY
- 商品编号
- C53133880
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 43.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.7nC | |
| 输入电容(Ciss) | 147pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 19pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
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